Em julho passado, a Samsung e a IBM anunciaram que haviam desenvolvido um novo processo para fabricar uma memória RAM não volátil, denominada MRAM, que é até 100.000 vezes mais rápida que o flash NAND . Bem, se os relatos puderem ser acreditados, a gigante sul-coreana estará revelando a memória MRAM no mês que vem em seu evento Foundry Forum.
MRAM significa RAM magnetoresistiva e é produzido usando a tecnologia de torque de transferência rotativa. Isso, por sua vez, levará a chips de memória de baixa capacidade para dispositivos móveis que atualmente usam flash NAND para armazenar dados.
Este STT-MRAM consome muito menos energia quando está ligado e armazenando informações. Quando a RAM não está ativa, ela não usa energia porque a memória não é volátil. Portanto, é amplamente esperado que essa MRAM seja usada pelos fabricantes para aplicações de energia ultrabaixa .
De acordo com a Samsung, o custo de produção da DRAM embutida é mais barato que o da memória flash. Apesar do tamanho menor do MRAM, sua velocidade também é mais rápida que as memórias flash normais. Infelizmente, a Samsung não consegue produzir mais do que alguns megabytes de memória no momento. No estado atual, a MRAM é boa o suficiente para ser usada como memória cache para processadores de aplicativos.
O evento do Foundry Forum da Samsung está agendado para o dia 24 de maio, e esperamos receber mais detalhes sobre o próximo MRAM da Samsung. Foi relatado que o departamento de negócios da Samsung LSI desenvolveu um protótipo de um SoC que possui MRAM embutido, o que também deve ser revelado no mesmo evento.
