RAM (Random Access Memory) é um tipo de memória que precisa de energia constante para reter os dados, uma vez que a fonte de alimentação é interrompida, os dados serão perdidos, por isso é conhecida como memória volátil . Ler e escrever em RAM é fácil e rápido e realizado através de sinais elétricos.
Gráfico de comparação
| Base para comparação | SRAM | DRAM |
|---|---|---|
| Rapidez | Mais rápido | Mais devagar |
| Tamanho | Pequeno | ampla |
| Custo | Caro | Barato |
| Usado em | Memória cache | Memória principal |
| Densidade | Menos denso | Altamente denso |
| Construção | Complexo e usa transistores e travas. | Simples e usa capacitores e pouquíssimos transistores. |
| Um único bloco de memória requer | 6 transistores | Apenas um transistor. |
| Cobrar a propriedade de vazamento | Não presente | Apresentar, portanto, requer circuitos de atualização de energia |
| Consumo de energia | Baixo | Alto |
Definição de SRAM
SRAM (Static Random Access Memory) é composta de tecnologia CMOS e usa seis transistores. Sua construção é composta de dois inversores cross-coupled para armazenar dados (binários) similares a flip-flops e dois transistores extras para controle de acesso. É relativamente mais rápido que outros tipos de RAM, como DRAM. Consome menos energia. A SRAM pode reter os dados desde que a energia seja fornecida a ela.
Trabalhando de SRAM para uma célula individual:
Para gerar um estado lógico estável, quatro transistores (T1, T2, T3, T4) são organizados de forma interconectada. Para gerar o estado lógico 1, o nó C1 é alto e C2 é baixo; neste estado, T1 e T4 estão desligados, e T2 e T3 estão ligados . Para o estado lógico 0, a junção C1 é baixa e C2 é alta; no estado determinado, T1 e T4 estão ligados, e T2 e T3 estão desligados. Ambos os estados são estáveis até que a tensão de corrente contínua (CC) seja aplicada.
Definição de DRAM
DRAM (Dynamic Random Access Memory) é também um tipo de RAM que é construído usando capacitores e poucos transistores. O capacitor é usado para armazenar os dados onde o valor de bit 1 significa que o capacitor está carregado e um valor de bit 0 significa que o capacitor está descarregado. Capacitor tende a descarregar, o que resulta em vazamento de cargas.
O termo dinâmico indica que as cargas estão continuamente vazando mesmo na presença de energia contínua fornecida, razão pela qual consome mais energia. Para reter dados por um longo tempo, ele precisa ser repetidamente atualizado, o que requer circuitos adicionais de atualização. Devido à carga com vazamento, a DRAM perde os dados mesmo se a energia estiver ligada. A DRAM está disponível na maior quantidade de capacidade e é menos dispendiosa. Requer apenas um único transistor para o único bloco de memória.
Funcionamento de células DRAM típicas:
No momento de ler e gravar o valor de bit da célula, a linha de endereço é ativada. O transistor presente no circuito se comporta como um interruptor que é fechado (permitindo que a corrente flua) se uma tensão é aplicada à linha de endereço e aberta (sem corrente flui) se nenhuma tensão é aplicada à linha de endereço. Para a operação de escrita, um sinal de voltagem é empregado na linha de bit onde a alta voltagem mostra 1, e a voltagem baixa indica 0. Um sinal é então usado para a linha de endereço que permite a transferência da carga para o capacitor.
Quando a linha de endereço é escolhida para executar a operação de leitura, o transistor é ligado e a carga armazenada no capacitor é fornecida para uma linha de bits e para um amplificador de detecção.
Principais diferenças entre SRAM e DRAM
- A SRAM é uma memória on-chip cujo tempo de acesso é pequeno, enquanto a DRAM é uma memória fora do chip que possui um grande tempo de acesso. Portanto, a SRAM é mais rápida que a DRAM.
- A DRAM está disponível em maior capacidade de armazenamento, enquanto a SRAM é de tamanho menor .
- A SRAM é cara, enquanto a DRAM é barata .
- A memória cache é uma aplicação da SRAM. Em contraste, a DRAM é usada na memória principal .
- A DRAM é altamente densa . Em contraste, a SRAM é mais rara .
- A construção da SRAM é complexa devido ao uso de um grande número de transistores. Pelo contrário, a DRAM é simples de projetar e implementar.
- Na SRAM, um único bloco de memória requer seis transistores, enquanto a DRAM precisa de apenas um transistor para um único bloco de memória.
- DRAM é nomeado como dinâmico, porque usa capacitor que produz corrente de fuga devido ao dielétrico usado dentro do capacitor para separar as placas condutoras não é um isolador perfeito, portanto, exigem circuitos de atualização de energia. Por outro lado, não há nenhum problema de vazamento de carga na SRAM.
- O consumo de energia é maior na DRAM do que na SRAM. A SRAM opera com o princípio de mudar a direção da corrente através de chaves, enquanto a DRAM trabalha na manutenção das cargas.
Conclusão
DRAM é descendente de SRAM. A DRAM é concebida para superar as desvantagens da SRAM; Os projetistas reduziram os elementos de memória usados em um bit de memória, o que reduziu significativamente o custo de DRAM e aumentou a área de armazenamento. Mas, a DRAM é lenta e consome mais energia do que a SRAM, ela precisa ser atualizada com freqüência em alguns milissegundos para reter as cargas.
