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Diferença entre SRAM e DRAM

SRAM e DRAM são os modos de RAM de circuito integrado onde a SRAM usa transistores e travas em construção enquanto a DRAM usa capacitores e transistores. Elas podem ser diferenciadas de várias maneiras, como a SRAM é comparativamente mais rápida que a DRAM; portanto, a SRAM é usada para memória cache enquanto a DRAM é usada para a memória principal.

RAM (Random Access Memory) é um tipo de memória que precisa de energia constante para reter os dados, uma vez que a fonte de alimentação é interrompida, os dados serão perdidos, por isso é conhecida como memória volátil . Ler e escrever em RAM é fácil e rápido e realizado através de sinais elétricos.

Gráfico de comparação

Base para comparaçãoSRAMDRAM
RapidezMais rápidoMais devagar
TamanhoPequenoampla
Custo
CaroBarato
Usado emMemória cacheMemória principal
DensidadeMenos densoAltamente denso
ConstruçãoComplexo e usa transistores e travas.Simples e usa capacitores e pouquíssimos transistores.
Um único bloco de memória requer6 transistoresApenas um transistor.
Cobrar a propriedade de vazamentoNão presenteApresentar, portanto, requer circuitos de atualização de energia
Consumo de energiaBaixoAlto

Definição de SRAM

SRAM (Static Random Access Memory) é composta de tecnologia CMOS e usa seis transistores. Sua construção é composta de dois inversores cross-coupled para armazenar dados (binários) similares a flip-flops e dois transistores extras para controle de acesso. É relativamente mais rápido que outros tipos de RAM, como DRAM. Consome menos energia. A SRAM pode reter os dados desde que a energia seja fornecida a ela.

Trabalhando de SRAM para uma célula individual:

Para gerar um estado lógico estável, quatro transistores (T1, T2, T3, T4) são organizados de forma interconectada. Para gerar o estado lógico 1, o nó C1 é alto e C2 é baixo; neste estado, T1 e T4 estão desligados, e T2 e T3 estão ligados . Para o estado lógico 0, a junção C1 é baixa e C2 é alta; no estado determinado, T1 e T4 estão ligados, e T2 e T3 estão desligados. Ambos os estados são estáveis ​​até que a tensão de corrente contínua (CC) seja aplicada.

A linha de endereço SRAM é operada para abrir e fechar o comutador e para controlar os transistores T5 e T6, permitindo a leitura e gravação. Para operação de leitura, o sinal é aplicado a esta linha de endereço, então T5 e T6 ligam, e o valor do bit é lido da linha B. Para a operação de gravação, o sinal é empregado na linha B bit, e seu complemento é aplicado a B ' .

Definição de DRAM

DRAM (Dynamic Random Access Memory) é também um tipo de RAM que é construído usando capacitores e poucos transistores. O capacitor é usado para armazenar os dados onde o valor de bit 1 significa que o capacitor está carregado e um valor de bit 0 significa que o capacitor está descarregado. Capacitor tende a descarregar, o que resulta em vazamento de cargas.

O termo dinâmico indica que as cargas estão continuamente vazando mesmo na presença de energia contínua fornecida, razão pela qual consome mais energia. Para reter dados por um longo tempo, ele precisa ser repetidamente atualizado, o que requer circuitos adicionais de atualização. Devido à carga com vazamento, a DRAM perde os dados mesmo se a energia estiver ligada. A DRAM está disponível na maior quantidade de capacidade e é menos dispendiosa. Requer apenas um único transistor para o único bloco de memória.

Funcionamento de células DRAM típicas:

No momento de ler e gravar o valor de bit da célula, a linha de endereço é ativada. O transistor presente no circuito se comporta como um interruptor que é fechado (permitindo que a corrente flua) se uma tensão é aplicada à linha de endereço e aberta (sem corrente flui) se nenhuma tensão é aplicada à linha de endereço. Para a operação de escrita, um sinal de voltagem é empregado na linha de bit onde a alta voltagem mostra 1, e a voltagem baixa indica 0. Um sinal é então usado para a linha de endereço que permite a transferência da carga para o capacitor.

Quando a linha de endereço é escolhida para executar a operação de leitura, o transistor é ligado e a carga armazenada no capacitor é fornecida para uma linha de bits e para um amplificador de detecção.

O amplificador de detecção especifica se a célula contém uma lógica 1 ou lógica 2 comparando a tensão do capacitor com um valor de referência. A leitura da célula resulta na descarga do capacitor, que deve ser restaurado para completar a operação. Mesmo que uma DRAM é basicamente um dispositivo analógico e usado para armazenar o bit único (ou seja, 0, 1).

Principais diferenças entre SRAM e DRAM

  1. A SRAM é uma memória on-chip cujo tempo de acesso é pequeno, enquanto a DRAM é uma memória fora do chip que possui um grande tempo de acesso. Portanto, a SRAM é mais rápida que a DRAM.
  2. A DRAM está disponível em maior capacidade de armazenamento, enquanto a SRAM é de tamanho menor .
  3. A SRAM é cara, enquanto a DRAM é barata .
  4. A memória cache é uma aplicação da SRAM. Em contraste, a DRAM é usada na memória principal .
  5. A DRAM é altamente densa . Em contraste, a SRAM é mais rara .
  6. A construção da SRAM é complexa devido ao uso de um grande número de transistores. Pelo contrário, a DRAM é simples de projetar e implementar.
  7. Na SRAM, um único bloco de memória requer seis transistores, enquanto a DRAM precisa de apenas um transistor para um único bloco de memória.
  8. DRAM é nomeado como dinâmico, porque usa capacitor que produz corrente de fuga devido ao dielétrico usado dentro do capacitor para separar as placas condutoras não é um isolador perfeito, portanto, exigem circuitos de atualização de energia. Por outro lado, não há nenhum problema de vazamento de carga na SRAM.
  9. O consumo de energia é maior na DRAM do que na SRAM. A SRAM opera com o princípio de mudar a direção da corrente através de chaves, enquanto a DRAM trabalha na manutenção das cargas.

Conclusão

DRAM é descendente de SRAM. A DRAM é concebida para superar as desvantagens da SRAM; Os projetistas reduziram os elementos de memória usados ​​em um bit de memória, o que reduziu significativamente o custo de DRAM e aumentou a área de armazenamento. Mas, a DRAM é lenta e consome mais energia do que a SRAM, ela precisa ser atualizada com freqüência em alguns milissegundos para reter as cargas.

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